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2N6796中文资料

2N6796图片

2N6796外观图

  • 大小:27.8KB
  • 厂家:INTERSIL [Intersil Corporation]
  • 描述:8A, 100V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET
  • 晶体管极性::?频道
  • 电流, Id 连续::8A
  • 电压, Vds 最大::100V
  • 在电阻RDS(上)::180mohm
  • 电压 @ Rds测量::10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值::4V
  • 功耗, Pd::25W
  • 封装类型::TO-39
  • 针脚数::3
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (18-Jun-2012)
  • 功率, Pd::25W
  • 功耗::25W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas::75mJ
  • 外部长度/高度::18.03mm
  • 封装类型::TO-39
  • 引线长度::14.22mm
  • 晶体管数::1
  • 温度 @ 电流测量::25°C
  • 满功率温度::25°C
  • 漏极电流, Id 最大值::8A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量::10V
  • 电压, Vds 典型值::100V
  • 电压, Vgs 最高::4V
  • 电流, Idm 脉冲::32A
  • 结温, Tj 最低::-55°C
  • 结温, Tj 最高::150°C
  • 表面安装器件::通孔安装
  • 重量::0.002kg
  • 阈值电压, Vgs th 最高::4V

2N6796供应商

更新时间:2023-01-04 02:16:55
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